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Ziel des Projektes war die Entwicklung von phasenrauscharmen Oszillatoren und Leistungsverstärkern mit GaAs-Heterobipolartransistoren (HBTs) für drahtlose Kommunikations- und Sensoranwendungen im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich. GaAs-HBTs bieten wegen ihrer physikalischen Eigenschaften (geringes 1/f-Rauschen verbunden mit hoher Grenzfrequenz sowie hohe Leistungsdichte und Linearität) für diese Zwecke entscheidende Vorteile. Die wichtigsten Ergebnisse sind: 1. Mit monolithischen GaAs-HBT-Oszillatoren (VCOs) ohne externen Resonator wurde bei 80 GHz ein Phasenrauschen unter -100 dBc/Hz erreicht (Ablagefrequenz 1 MHz) und dadurch der internationale Stand der Technik um 10 dB verbessert. Die entwickelten Oszillatoren decken den gesamten Bereich zwischen 2 GHz und 80 GHz ab. 2. Spezielle GaAs-Leistungs-HBTS mit Durchbruchspannungen von 70 V erreichen eine Mikrowellen-Ausgangsleistung von 14 W bei 2 GHz mit einem Wirkungsgrad (PAE) über 60% und Betriebsspannungen von 20 bis 27 V. Die Ausgangsimpedanz liegt über 10 Ohm und damit deutlich hoher als für vergleichbare konventionelle HBTs oder Silizium-LDMOS-Transistoren. 3. Mit einer 5x6-Zoll-MOVPE-Anlage wurde die Lieferfähigkeit für 6-Zoll-GaAs-HBT-Wafer erreicht.