Modeling Raman scattering in porous silicon (Englisch)
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In:
PSST, International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology, 4
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3500-3504
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2005
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Modeling Raman scattering in porous silicon
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Beteiligte:Cruz, Miguel ( Autor:in ) / Wang, Chumin ( Autor:in )
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Erschienen in:Physica Status Solidi / C: Current topics in solid state physics ; 2, 9 ; 3500-3504
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2005
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Format / Umfang:5 Seiten, 3 Bilder, 7 Quellen
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Modell , Kombinationsstreuung , Phonon , Green-Funktion , Korrelation , Vibration , poröses Silicium , Fachzeitschrift , Pore , Peak , Arbeit (Physik) , Porosität , Quantendraht , Modellbildung , Periodizität , Berechnungsmethode , Teilchen (Atom) , Dynamik , Elementarteilchen , Energiequant , Funktionalgleichung , Gitterdynamik , Gitterschwingung , Halbmetalle , Infrarotstrahlung , Korrelationsanalyse , Linienverschiebung , Materialeigenschaft , Mathematik , Mechanik , Muster , Musterung , Naturwissenschaft , Partikel
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Datenquelle: