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Seit etwa 10 Jahren ist bekannt, daß elektronische Halbleiterleistungsbauelemente aus Silizium durch kosmische Strahlung zerstört werden können. Betroffen sind davon Bauelemente von 500 V bis hin zu den höchsten Spannungsklassen. Der Ausfallmechanismus wird auf Meeresniveau hauptsächlich durch Neutronen initiiert, die aus der Wechselwirkung der kosmischen Strahlung mit den Atomen der Erdatmosphäre entstanden sind. Durch eine inelastische Kernreaktion zwischen einem eindringenden Neutron und einem Siliziumatomkern des Substratmaterials wird ein leichtes Ion erzeugt. Dieses Rückstoßion generiert durch seinen Energieverlust ein hochlokalisiertes Elektron/Loch-Plasma, welches in der Hochfeldzone eines in Sperrichtung gepolten Leistungsbauelements verstärkt wird. Letztendlich kann dies zur Zerstörung des Bauelements durch ein lokalisiertes Aufschmelzen führen. Das Auftreten höhenstrahlungsinduzierter Ausfälle ist mitentscheidend für die Lebensdauer und Zuverlässigkeit von Halbleiterleistungsbauelementen. Die experimentelle Bestimmung der Ausfallraten von Bauelementen ist jedoch sehr langwierig und teuer. Aus diesem Grund ist ein Simulationsmodell zur Bestimmung der Empfindlichkeit von Bauelementen sehr hilfreich. Wertvolle Erkenntnisse zum Ausfallmechanismus können durch Ionenbestrahlungsexperimente gewonnen werden. Die Bestrahlungen mit Ionen haben den Vorteil, daß die statistische Verteilung der Reaktionskanäle der Kernreaktion hier nicht berücksichtigt werden muß. Daher sind sie zur Validierung von Simulationsmodellen auch besser geeignet. Basierend auf einer Berechnung des Energieverlustes von verschiedenen Ionen in Silizium wurde in dieser Arbeit zunächst ein Modell zur Beschreibung der initialen örtlichen und zeitlichen Verteilung des ioneninduzierten Ladungsplasmas entwickelt und in den Bauelementsimulator TeSCA implementiert. Damit kann der Multiplikationseffekt, den ionisierende Teilchen im Innern eines sperrgepolten Bauelements auslösen, erstmalig erklärt und visualisiert werden. Durch die sehr gute Übereinstimmung von Messung und Simulation wird die Genauigkeit und Anwendbarkeit der entwickelten Modelle demonstriert. Es wird in dieser Arbeit gezeigt, daß die Schwellspannung für das Auftreten der Ereignisse mit einer massiven Multiplikation von Ladung bei den Ionenbestrahlungsexperimenten auch ein Maß für die Robustheit von Bauelementen gegen Höhenstrahlung ist. Diese Spannung kann sowohl durch nicht zerstörende Bestrahlung mit Ionen gemessen als auch durch numerische Simulation berechnet werden. Damit ist es möglich, die relative Höhenstrahlungsempfindlichkeit von Leistungsbauelementen mit Hilfe eines physikalischen Modells zu ermitteln.