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Das Ziel des Forschungsvorhabens war die Entwicklung von integrierten Schaltungen für hochbitratige Kommunikationssysteme bei 80 GBit/s und mehr auf der Basis von lnP-basierte Heterobipolar-Transistoren (HBT). Das Vorhaben umfasste das gesamte Aufgabenspektrum von der Epitaxie über die Prozessierung bis zu Schaltungsentwurf und Charakterisierung. Auf der Schaltungsseite lag der Schwerpunkt auf den Funktionsblöcken Eingangsverstärker, Taktregeneration und Treiber. Das Projekt wurde gemeinsam mit dem FhG-IAF, Freiburg, und dem Fachgebiet Halbleitertechnik/Halbleitertechnologie der Universität Duisburg durchgeführt. Wichtigstes Ziel ist die Erreichung einer möglichst hohen p-Dotierung im InGaAs von mehr als 2x1019cm(exp3) bei Schichtdicken im Bereich von 30 bis 70 nm. Die hohen Dotierungen ermöglichen über die Reduktion des Basisbahnwiderstandes eine Erhöhung der maximalen Schwingfrequenz, während dünne Basisschichtdicken zu geringen Transitzeiten und dementsprechend erhöhten Transitfrequenzen führen. Ein weiterer Schwerpunkt der Epitaxieentwicklung bestand in der Strukturoptimierung des Basis-Kollektor-Heteroübergangs Ziel ist hier die weitestgehende Unterdrückung der InP-Kollektor-Leitungsbandbarriere, die zu einer teilweisen Stromblockade bei geringen Betriebsspannungen führt. Hierfür wurden die Konzepte InGaAs-Launcher, quaternäre Zwischenschicht (GalnAsP) und Pulsdotierung sowohl in der Simulation als auch im Experiment untersucht. Zum Vergleich einer ein- und zweistufigen Gradierung wurden sowohl eine Zusammensetzung mit einer Bandlücke von 1 eV als auch Versionen mit 0.9 eV und 1.1 eV entwickelt. Bei der Entwicklung der Pulsdotierung wurde zunächst eine 2 nm dünne lnP:Si Schicht mit einer nominellen Dotierung von 1x1019cm3 vor einer 10 nm dicken InGaAs-Launcher-Schicht verwendet. Die Struktur mit Pulsdotierung hat den Vorteil, dass bei der Prozessierung kein zusätzlicher Ätzschritt für das quaternäre Material notwendig ist. Im Vordergrund der Prozessentwicklung stand die Reduktion der parasitären Größen der einzelnen Transistorzellen mit dem Ziel möglichst hohe Grenzfrequenzen zu erreichen. Es konnte gezeigt werden, daß die ex-situ-Aktivierung der Akzeptoren in der Basis sehr wirksam ist. Zur Optimierung des Transistorlayouts wurde die Emmiterlänge bei einer konstanten Emmiterbreite von 0,8 Mikrometer im Bereich 3 bis 12 Mikrometer variiert. Transistoren mit Emmiterabmessungen im Bereich von 0,8x6 und 0,8x9 Mikrometer2 zeigen die höchsten maximalen Grenzfrequenzen. Der Transistorlayout wurde mit Hilfe der elektromagnetischen Simulation optimiert, um die extrinsischen Elemente zu minimieren.