High polysilicon TFT field effect mobility reached thanks to slight phosphorus content in the active layer (Englisch)
- Neue Suche nach: Zaghdoudi, M.
- Neue Suche nach: Rogel, R.
- Neue Suche nach: Alzaied, N.
- Neue Suche nach: Fathallah, M.
- Neue Suche nach: Mohammed-Brahim, T.
- Neue Suche nach: Zaghdoudi, M.
- Neue Suche nach: Rogel, R.
- Neue Suche nach: Alzaied, N.
- Neue Suche nach: Fathallah, M.
- Neue Suche nach: Mohammed-Brahim, T.
In:
MADICA, Maghreb-Europe Meeting on Materials and their Applications for Devices and Physical, Chemical and Biological Sensors, 5
;
1010-1013
;
2008
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:High polysilicon TFT field effect mobility reached thanks to slight phosphorus content in the active layer
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Beteiligte:Zaghdoudi, M. ( Autor:in ) / Rogel, R. ( Autor:in ) / Alzaied, N. ( Autor:in ) / Fathallah, M. ( Autor:in ) / Mohammed-Brahim, T. ( Autor:in )
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Erschienen in:Materials Science and Engineering, Part C (Biomimetic Materials, Sensors and Systems) ; 28, 5/6 ; 1010-1013
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2008
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Format / Umfang:4 Seiten, 4 Bilder, 1 Tabelle, 9 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle: