Entwicklung von Photoabsorbern auf der Basis galvanisch abgeschiedener Dispersionsschichten für Cu(In,Ga)(Se,S)2-Solarzellen. Abschlussbericht. Laufzeit 01.06.2006 - 31.12.2008
(Deutsch)
Bitte wählen Sie ihr Lieferland und ihre Kundengruppe
Ziel des Projektes war es, eine neuartige, kostengünstige Galvanotechnik zu entwickeln, mit der metallische Vorläuferschichten für CuInSe2-Solarzellen hergestellt werden können. Statt der gewöhnlichen Galvanotechnik, bei der gelöste Metallionen kathodisch als Metall abgeschieden werden, sollten in diesem Projekt mittels der Dispersionsgalvanik Partikel eingebaut werden. Mit dieser Methode sollten Komponenten abgeschieden werden, die nur schwer mittels der üblichen Galvanotechnik aufgebracht werden können und von denen erwartet werden konnte, dass sie das Wachstum der CuInSe2-Kristalle in einem nachfolgenden Temperprozess günstig beeinflussen. Die Dispersionsgalvanik für elementare Se-Partikel und für In2Se3-Partikel wurde entwickelt. Diese Erwartungen haben sich nicht erfüllt. Die Deposition von Selen-Partikeln wurde sehr intensiv untersucht. Es musste jedoch festgestellt werden, dass Se nicht in Form elementarer Partikeln abgeschieden wird, sondern dieses offenbar nur zusammen mit Kupfer und Indium deponiert wird. Die Abscheidung eines Se-Überschusses, der einen weiteren Selenisierungsschritt hätte überflüssig machen können, hat sich unter keinen Umständen ergeben. Für eine Solarzellen-Entwicklung ungeeignet hat sich erwiesen, dass die Homogenität der Beschichtungen bei weitem nicht aussreicht. Darüber hinaus musste festgestellt werden, dass die Elektrolyt-Ansätze mit Se-Partikeln die Haftfestigkeit des Molydäns reduzieren. Dieses Problem konnte nur durch zusätzliche Cu-Haft- bzw. -Startschichten überwunden werden. Parallel zu den Entwicklungen der Dispersionsgalvanik wurden alle für die CuInSe2-Solarzelle notwendigen Prozessschritte durchgeführt: Sputtern von Mo, Cu, In, i-ZnO und ZnO:Al, galvanische Abscheidung von CdS sowie die Selenisierung und Formierung zum CuInSe2 in einem Se-Ofen. Die Prozesse wurden soweit optimiert, dass sie als Referenzprozess dienen konnten. Gesputtertes Mo und Cu wurde für die Elektroden für die Dispersionsgalvanik eingesetzt, gesputtertes Indium sollte den Cu-Überschuss nach der Dipsersionsgalvanik ausgleichen. Im Referenz-Prozess wurde ein Wirkungsgrad von 7,4 % erreicht.
Entwicklung von Photoabsorbern auf der Basis galvanisch abgeschiedener Dispersionsschichten für Cu(In,Ga)(Se,S)2-Solarzellen. Abschlussbericht. Laufzeit 01.06.2006 - 31.12.2008
Weitere Titelangaben:
Development of photoabsorbers based on electrochemically deposited dispersion layers for Cu(In,Ga)(Se,S)2 solar cells. Final report. Term 01.06.2006 - 31.12.2008