Grundlagen der Maskenmetrologie für den 32nm Technologieknoten. Gefördert im Rahmen des Verbundprojekts: Critical Dimension (CD) und Registration (REG) Technologien für die 32nm Maskenlithographie. Kurz: CDuR32. Schlussbericht. Berichtszeitraum: 01. Mai 2008 - 31. Mai 2011 (Deutsch)
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2011
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Titel:Grundlagen der Maskenmetrologie für den 32nm Technologieknoten. Gefördert im Rahmen des Verbundprojekts: Critical Dimension (CD) und Registration (REG) Technologien für die 32nm Maskenlithographie. Kurz: CDuR32. Schlussbericht. Berichtszeitraum: 01. Mai 2008 - 31. Mai 2011
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Beteiligte:Bodermann, Bernd ( Autor:in ) / Bosse, Harald ( Autor:in ) / Groß, Hermann ( Autor:in ) / Scholze, Frank ( Autor:in )
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Erschienen in:
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2011
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Format / Umfang:32 Seiten, 47 Bilder, 36 Quellen
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Medientyp:Report
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Format:Print
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Sprache:Deutsch
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Schlagwörter:Strukturbestimmung , Halbleiterherstellung , Metrologie , Rasterelektronenmikroskopie , Forschungsvorhaben , Doppelbelichtungsverfahren , Überwachung , Breitenmessung , Messgerät , Transmissionsmikroskop , Transmissionselektronenmikroskop , Messtechnik , Linienbreite , Messdaten , Messmethode , inverses Problem , Präzisionsmessung , Ausleuchtung , Spurenbestimmung , Nanometerbereich , Registrierung , Registratur , Position
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Datenquelle: