Impact of DoS changes on resistance drift and threshold switching in amorphous phase change materials (Englisch)
- Neue Suche nach: Krebs, Daniel
- Neue Suche nach: Schmidt, Rüdiger M.
- Neue Suche nach: Klomfaß, Josef
- Neue Suche nach: Luckas, Jennifer
- Neue Suche nach: Bruns, Gunnar
- Neue Suche nach: Schlockermann, Carl
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- Neue Suche nach: Bruns, Gunnar
- Neue Suche nach: Schlockermann, Carl
- Neue Suche nach: Salinga, Martin
- Neue Suche nach: Carius, Reinhard
- Neue Suche nach: Wuttig, Matthias
In:
ICANS, International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 24
;
2412-2415
;
2012
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
-
Titel:Impact of DoS changes on resistance drift and threshold switching in amorphous phase change materials
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Beteiligte:Krebs, Daniel ( Autor:in ) / Schmidt, Rüdiger M. ( Autor:in ) / Klomfaß, Josef ( Autor:in ) / Luckas, Jennifer ( Autor:in ) / Bruns, Gunnar ( Autor:in ) / Schlockermann, Carl ( Autor:in ) / Salinga, Martin ( Autor:in ) / Carius, Reinhard ( Autor:in ) / Wuttig, Matthias ( Autor:in )
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Erschienen in:Journal of Non-Crystalline Solids ; 358, 17 ; 2412-2415
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2012
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Format / Umfang:4 Seiten
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle: