Emerging memories: resistive switching mechanisms and current status (Englisch)
- Neue Suche nach: Jeong, Doo-Seok
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- Neue Suche nach: Hwang, Cheol-Seong
In:
Reports on Progress in Physics
;
75
, 7
;
076502/1-076502/31
;
2012
-
ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Emerging memories: resistive switching mechanisms and current status
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Beteiligte:Jeong, Doo-Seok ( Autor:in ) / Thomas, Reji ( Autor:in ) / Katiyar, R.S. ( Autor:in ) / Scott, J.F. ( Autor:in ) / Kohlstedt, H. ( Autor:in ) / Petraru, A. ( Autor:in ) / Hwang, Cheol-Seong ( Autor:in )
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Erschienen in:Reports on Progress in Physics ; 75, 7 ; 076502/1-076502/31
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2012
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Format / Umfang:31 Seiten, 240 Quellen
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Oxid , Übergangsmetalloxide , Perowskit , Chalkogenid , Dielektrikum , Werkstoffverhalten , nichtflüchtiger Speicher , Speicher mit wahlfreiem Zugriff , Kategorie , Werkstoffnummer , Informationsspeicher , hohe Dichte , Halbleitertechnologie , Halbleiterindustrie , Bandlücke , Spitzenposition , Schaltgeschwindigkeit
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 75, Ausgabe 7
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