Planarization of the Gallium Nitride Substrate Grown by the Na Flux Method Applying Catalyst-Referred Etching (Englisch)
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In:
Silicon Carbide and Related Materials 2013, ICSCRM, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 15
;
1193-1196
;
2014
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Planarization of the Gallium Nitride Substrate Grown by the Na Flux Method Applying Catalyst-Referred Etching
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Beteiligte:Yamaguchi, Wataru ( Autor:in ) / Sadakuni, Shun ( Autor:in ) / Isohashi, Ai ( Autor:in ) / Asano, Hiroya ( Autor:in ) / Sano, Yasuhisa ( Autor:in ) / Imade, Mamoru ( Autor:in ) / Maruyama, Mihoko ( Autor:in ) / Yoshimura, Masashi ( Autor:in ) / Mori, Yusuke ( Autor:in ) / Yamauchi, Kazuto ( Autor:in )
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Erschienen in:Materials Science Forum ; 778-780 ; 1193-1196
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Verlag:
- Neue Suche nach: Trans Tech Publications
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Erscheinungsort:Zürich
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Erscheinungsdatum:2014
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Format / Umfang:4 Seiten
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle: