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Duenne, halbleitende SnO2-Schichten werden in zwei verschiedenen Verfahren auf Saphir und Quarz hergestellt und rasterelektronenmikroskopisch, mit energiedisperser Roentgenanalyse und spektroskopisch charakterisiert. Verglichen werden Literaturwerte und Messergebnisse von SnO2 Einkristallen. Zinn wird thermisch aufgedampft und oxidiert, die elektrischen Eigenschaften der Filme werden durch Hochtemperaturbehandlung in Filme mit reproduzierbaren elektrischen Eigenschaften ueberfuehrt. Untersucht werden die Volumenpunktdefektstrukturen dieser SnO2-Schichten und die elektrische Leitfaehigkeit als Funktion, der Temperatur und des O2-Partialdruckes wird erklaert. Unter UHV-Bedingungen wird die Wechselwirkung der Schicht mit NO2, NO, N20, CO2 und H20 untersucht und Wirkungsmechanismen werden diskutiert. Untersucht wird die Eignung duenner SnO2-Schichten unter realistischen Gassensorbedingungen. Experimente unter definierten Flussbedingungen zeigen Temperaturbereiche fuer reversible NO2 und H20-Wechselwirkungen.