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Diese Arbeit untersucht die elektrischen und thermodynamischen Eigenschaften von Chalkogen-Donatoren (Schwefel- und Selen-Donatoren) in Silicium und von Stickstoffdonatoren in Siliciumkarbid mittels Infrarotspektroskopie, Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) und Hall-Effekt-Messung. Zunächst werden die bekannten Eigenschaften der untersuchten Defektzentren zusammengefaßt und für SiC einige Materialeigenschaften angegeben. Die Grundlagen der in der Arbeit eingesetzten experimentellen Methoden werden beschrieben und das Probenmaterial und die durchgeführten Prozeßschritte vorgestellt. Anschließend beschäftigt sich die Arbeit mit der Effektiv-Massen-Theorie (EMT). Es wird die EMT-Gleichung für Donatoren in Halbleitern mit einem und mehreren Leitungsbandminima angegeben und der Einfluß der Symmetrie auf die Entartung der EMT-Zustände diskutiert.