Analysis of MBE growth and atomic exchange in thin highly strained InAs layers (Französisch)
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In:
Microscopy Microanalysis Microstructures
;
5
, 3
;
213-236
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1994
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Analysis of MBE growth and atomic exchange in thin highly strained InAs layers
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Weitere Titelangaben:Analyse der Molekularstrahlepitaxie und des Atomaustausches von mechanisch gespannten Schichten aus Indiumarsenid
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Beteiligte:d'Anterroches, C. ( Autor:in ) / Gerard, J.M. ( Autor:in )
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Erschienen in:Microscopy Microanalysis Microstructures ; 5, 3 ; 213-236
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1994
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Format / Umfang:24 Seiten, 17 Bilder, 34 Quellen
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Französisch
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Schlagwörter:MBE (Molekularstrahlepitaxie) , Epitaxialwachstum , GaAs (Galliumarsenid) , Indium , InAs (Indiumarsenid) , Kristallgitter , dünne Schicht , mechanische Spannung , Quantentopf , Übergitter , InGaAs (Indium-Gallium-Arsenid) , Bildverarbeitung , Störstelle (Kristall) , Elektronenmikroskop , Grenzschicht , Heteroübergang , Photolumineszenz , optisches Messverfahren , Bandabstand (Energielücke) , Kristallorientierung , Schichtdicke , Rasterelektronenmikroskop , Epitaxie , Kristallwachstum , Grenzfläche , Rastermikroskop
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 5, Ausgabe 3
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EditorialHawkes, P.W. et al. | 1994
- 173
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EELS fingerprint of Al-coordination in silicatesHansen, P.L. et al. | 1994
- 183
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Effects of dislocation strain fields on Bragg lines in an Al 70)Co15Ni15 decagonal quasicrystal studied by an improved LACBED techniqueYan, Yanfa et al. | 1994
- 189
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Laterally graded division parameter layered synthetic microstructuresGuichet, C. et al. | 1994
- 203
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TEM investigation of iron segregation modes in CuAlFe dilute alloysHauet, A. et al. | 1994
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Analysis of MBE growth and atomic exchange in thin highly strained InAs layersD'Anterroches, C. et al. | 1994