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Es werden verschiedene Aspekte der Ladungsträgerdynamik in quasi-eindimensionalen Quantendrähten und quasi-nulldimensionalen Quantenpunkten aus III-V-Halbleitern untersucht. Als Untersuchungsmethode wird die zeitaufgelöste Spektroskopie der bei der Rekombination der Elektronen und Löcher emittierten Photolumineszenz gewählt. Die Nanostrukturen wurden aus elastisch verspannten InGaAs/GaAs-Einfach-Quantenfilmen durch Elektronenstrahllithographie und naßchemisches Ätzen hergestellt. Untersucht werden Ladungsträgerrekombination und Ladungsträger-Lebensdauer sowie der Ladungsträgereinfang in Quantenpunktstrukturen. Durch die laterale Strukturierung ergeben sich zahlreiche Quantisierungseffekte, die in den zeitaufgelösten (10-20 ps) Photolumineszenzspektren beobachtet werden können. In Bereichen niedriger Ladungsträgerdichten ergeben sich bei abnehmender Strukturgröße ausgeprägte Verschiebungen der Lumineszenzspektren zu höheren Energien, die sich auch quantitativ allein aus den aus Rasterelektronenmikroskop-Aufnahmen gewonnenen geometrischen Ausdehnungen der Quantenstrukturen erklären lassen. Im Bereich großer Ladungsträgerdichten kann in Quantendrähten die Besetzung des zweiten lateral quantisierten Subbands nachgewiesen werden. Durch die Linienformanalyse war es möglich, in zwei- und eindimensionalen Elektron-Loch-Plasmen die transiente Lumineszenzintensität mit der sich zeitlich ändernden Ladungsträgerdichte zu korrelieren. Hochanregungsexperimente an tiefgeätzten Quantendrähten zeigten, daß in Quantendrähten bei gleichen Anregungsbedingungen eine um zwei Größenordnungen verzögerte Thermalisierung im Vergleich zu einer zweidimensionalen Referenz auftritt.