ESD issues for advanced CMOS technologies (Englisch)
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In:
Microelectronics and Reliability
;
36
, 7/8
;
907-924
;
1996
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:ESD issues for advanced CMOS technologies
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Weitere Titelangaben:Schutz vor elektrostatischen Entladungen in der modernen CMOS-Technik
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Beteiligte:Duvvury, C. ( Autor:in ) / Amerasekera, A. ( Autor:in )
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Erschienen in:Microelectronics and Reliability ; 36, 7/8 ; 907-924
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1996
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Format / Umfang:18 Seiten, 16 Bilder, 1 Tabelle, 25 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:NMOS-Struktur , komplementäre MOS-Schaltung , CMOS-Technik , Schutzschaltung , elektrostatische Aufladung , elektrostatische Entladung , Lebensdauer , Schadenanalyse , Störstellendichte , Packungsdichte (Schaltung) , Kanal (FET) , elektrisches Feld , elektrische Feldstärke , Impulsstrom , Oxidschicht , Schichtdicke
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 36, Ausgabe 7/8
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