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Der Artikel stellt zwei neue Deep-Submicron-Prozeßtechnologien für ASICs vor. Die Geometrie des für den 2,5-V-Betrieb optimierten Prozesses besitzt eine Kanallänge von 0,25 Mikrometer und einen Fully-Contacted Metal Pitch von 0,85 Mikrometer. Er erfordert auf Gate-Ebene einen Energiebedarf von 0,04 mikroWatt pro MHz und Gate. Der für den 1,8-V-Betrieb optimierte Prozeß hat eine Kanallänge von 0,20 Mikrometer und einen Fully-Contacted Metal Pitch von 0,85 Mikrometer, sein Leistungsbedarf liegt bei 0,02 mikroWatt pro MHz und Gate. Es können auf dem 22x22 mm2 großen Chip zwischen 9 und 18 Millionen Gates untergebracht werden. Zur Erhöhung der Packungsdichte kommen flache Trenches zur Isolierung der aktiven Bereiche zum Einsatz, die die seitliche Oxideinstreuung verhindern. Die beiden Prozesse enthalten einen vollständigen Satz an Libraries für logische Cores, I/O und Speicher. Beide Prozesse liefern bei ihrer Betriebsspannung einen Delaywert von 35 ps, womit 3,3-V-I/O-kompatible Technologien zur Verfügung stehen. Somit lassen sie sich problemlos in Systeme integrieren, die über standardmäßige 3,3-V-Stromversorgungsarchitekturen verfügen. Die 2,5-V-Technologie dürfte sich insbesondere für Anwendungen der Kommunikationselektronik und Unterhaltungselektronik eignen, wo ein breites Spektrum an Betriebsspannungen sowie gemischte analoge und digitale Signalverarbeitung erforderlich sind. Die 1,8-V-Version könnte wegen der geringen Leistungsaufnahme im Bereich der Hochleistungsdatenverarbeitung Anwendung finden.