High performance submicrometer AlInAs-GaInAs HEMTs (Englisch)
- Neue Suche nach: Mishra, U.K.
- Neue Suche nach: Brown, A.S.
- Neue Suche nach: Jelloian, L.M.
- Neue Suche nach: Hackett, L.H.
- Neue Suche nach: Delaney, M.J.
- Neue Suche nach: Mishra, U.K.
- Neue Suche nach: Brown, A.S.
- Neue Suche nach: Jelloian, L.M.
- Neue Suche nach: Hackett, L.H.
- Neue Suche nach: Delaney, M.J.
In:
45th Annual Device Research Conference (papers in summary form only received), 22-24 June 1987, Santa Barbara, CA, USA
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2358
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1987
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:High performance submicrometer AlInAs-GaInAs HEMTs
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Weitere Titelangaben:High-Performance-Submikrometer-HEMTs aus AlInAs-GaInAs
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Beteiligte:Mishra, U.K. ( Autor:in ) / Brown, A.S. ( Autor:in ) / Jelloian, L.M. ( Autor:in ) / Hackett, L.H. ( Autor:in ) / Delaney, M.J. ( Autor:in )
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Erschienen in:IEEE Transactions on Electron Devices ; ED-34, 11 ; 2358
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1987
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Format / Umfang:1 Seite
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:DREI-FUENF-VERBINDUNG , HEMT (HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR) , SPERRSCHICHT , FELDEFFEKTTRANSISTOR , ALUMINIUMARSENID , GALLIUMARSENID , INDIUMARSENID , SUBMIKROMETERBEREICH , ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT , MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE , BETRIEBSVERHALTEN , ALUMINIUMVERBINDUNG , INDIUMVERBINDUNG , HALBLEITEREPITAXIALSCHICHT
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Datenquelle: