Ga0.47In0.53As depletion mode MISFETs with negligible drain current drift (Englisch)
- Neue Suche nach: Renaud, M.
- Neue Suche nach: Boher, P.
- Neue Suche nach: Schneider, J.
- Neue Suche nach: Barrier, J.
- Neue Suche nach: Heyen, M.
- Neue Suche nach: Schmitz, D.
- Neue Suche nach: Renaud, M.
- Neue Suche nach: Boher, P.
- Neue Suche nach: Schneider, J.
- Neue Suche nach: Barrier, J.
- Neue Suche nach: Heyen, M.
- Neue Suche nach: Schmitz, D.
In:
Electronics Letters
;
24
, 12
;
750-752
;
1988
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
-
Titel:Ga0.47In0.53As depletion mode MISFETs with negligible drain current drift
-
Weitere Titelangaben:Ga(0,47)In(0,53)As-Verarmungsmode-MISFETs mit geringer Drain-Strom-Drift
-
Beteiligte:Renaud, M. ( Autor:in ) / Boher, P. ( Autor:in ) / Schneider, J. ( Autor:in ) / Barrier, J. ( Autor:in ) / Heyen, M. ( Autor:in ) / Schmitz, D. ( Autor:in )
-
Erschienen in:Electronics Letters ; 24, 12 ; 750-752
-
Verlag:
-
Erscheinungsdatum:1988
-
Format / Umfang:3 Seiten, 7 Quellen
-
DOI:
-
Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
-
Format:Print
-
Sprache:Englisch
-
Schlagwörter:SILICIUMVERBINDUNG , HALBLEITERWERKSTOFF , METALLORGANISCHE GASPHASENABSCHEIDUNG , GALLIUMARSENID , ISOLIERSCHICHT-FET , MIS-STRUKTUR , PASSIVIERUNG , HALBLEITERTECHNOLOGIE , GASPHASENEPITAXIE , FERTIGUNG , EPITAXIALSCHICHT , DRAIN (FET) , DIELEKTRISCHE SCHICHT , INDIUMVERBINDUNG , METALLORGANISCHE GASPHASENEPITAXIE , KENNLINIENSTEILHEIT
-
Datenquelle: