GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 10th Annual GaAs IC Symposium Technical Digest 1988 (IEEE Cat. No.88CH2599-9), 6-9 Nov. 1988, Nashville, TN, USA (Englisch)
1988
- Konferenzband / Print
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Titel:GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 10th Annual GaAs IC Symposium Technical Digest 1988 (IEEE Cat. No.88CH2599-9), 6-9 Nov. 1988, Nashville, TN, USA
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Weitere Titelangaben:Symposium ueber integrierte Halbleiterschaltungen aus Galliumarsenid
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1988
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Format / Umfang:320 Seiten
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Medientyp:Konferenzband
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:HALBLEITERWERKSTOFF , DIGITALE INTEGRIERTE SCHALTUNG , GALLIUMARSENID , DREI-FUENF-VERBINDUNG , HALBLEITERTECHNOLOGIE , VERSTAERKUNG , ZUVERLAESSIGKEIT , PRUEFUNG , WERKSTOFF , FERTIGUNG , WIRKUNGSGRAD , MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE , MES-FET , SIGNALVERARBEITUNG , MONTAGE , MIKROWELLENVERSTAERKER , VERPACKUNGSTECHNIK , STREUMATRIX , INTEGRIERTE MIKROWELLENSCHALTUNG , HALBLEITERSCHALTER , LEISTUNGSVERSTAERKER , INTEGRIERTE OPTIK , RAM (DIREKTZUGRIFFSSPEICHER) , OPTISCHE NACHRICHTENUEBERTRAGUNG , ROM (FESTWERTSPEICHER) , MODELLUNTERSUCHUNG , ZUGRIFFSZEIT , STRAHLUNGSSCHAEDIGUNG , VERLUSTLEISTUNG , TEMPERATURKOMPENSATION , KRISTALLBAUFEHLER , DAUERVERSUCH , BETRIEBSTEMPERATUR , LEBENSDAUER , TEMPERATURGANG , OPTOELEKTRONIK , BESCHLEUNIGTE PRUEFUNG , FEHLERANALYSE , HETEROUEBERGANG , HALBLEITERVERBINDUNG , AKTIVIERUNGSENERGIE , ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT , WAERMELEITFAEHIGKEIT , SCHALTUNGSENTWURF , INTEGRIERTE SCHALTUNGSTECHNOLOGIE , INTEGRIERTE OPTOELEKTRONIK
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Datenquelle: