Growth and characterization of InAs/GaAs monolayer structures (Englisch)
- Neue Suche nach: Fukui, T.
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In:
Fourth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 16-20 May 1988, Hakone, Japan
;
301-306
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1988
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Growth and characterization of InAs/GaAs monolayer structures
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Weitere Titelangaben:Zuechtung und Eigenschaften von Einschicht-Halbleiterstrukturen aus InAs/GaAs
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Beteiligte:Fukui, T. ( Autor:in )
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Erschienen in:Fourth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 16-20 May 1988, Hakone, Japan ; 301-306Journal of Crystal Growth ; 93, 1-4 ; 301-306
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1988
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Format / Umfang:6 Seiten, 13 Quellen
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:GASPHASENABSCHEIDUNG , ENERGIELUECKE , GALLIUMARSENID , DREI-FUENF-VERBINDUNG , PHOTOLUMINESZENZ , RUTHERFORD-RUECKSTREUUNG , INDIUMARSENID , KRISTALLWACHSTUM , KRISTALLZUECHTUNG , UEBERGITTER , ROENTGENSTRAHLBEUGUNG , MATERIALPRUEFUNG , KRISTALLGITTER , METALLORGANISCHE GASPHASENABSCHEIDUNG , HETEROUEBERGANG , EPITAXIALWACHSTUM , NIEDERDRUCKGASPHASENABSCHEIDUNG , INDIUMVERBINDUNG , HALBLEITERWACHSTUM , HALBLEITERWERKSTOFF , PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA , HALBLEITERUEBERGITTER
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Datenquelle: