Absence of valley splitting and quantum interference effects in the quantum Hall regime of a narrow two dimensional electron gas in Si (Englisch)
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In:
Solid State Communications
;
72
, 11
;
1065-1069
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1989
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Absence of valley splitting and quantum interference effects in the quantum Hall regime of a narrow two dimensional electron gas in Si
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Weitere Titelangaben:Fehlen von Valley-Splitting und Quanteninterferenzeffekten im Quanten-Hall-Regime eines schmalen zweidimensionalen Elektronengases in Silicium
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Beteiligte:Mottahedeh, R. ( Autor:in ) / Pepper, M. ( Autor:in ) / Newbury, R. ( Autor:in ) / Perenboom, J.A.A.J. ( Autor:in ) / Berggren, K.F. ( Autor:in )
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Erschienen in:Solid State Communications ; 72, 11 ; 1065-1069
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1989
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Format / Umfang:5 Seiten, 10 Quellen
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:ELEMENTHALBLEITER , QUANTEN-HALL-EFFEKT , ISOLIERSCHICHT-FET , MIS-STRUKTUR , SILICIUM , MOS-FET , ELEKTRONENGAS , HALL-EFFEKT , QUANTISIERUNG , TRANSPORTTHEORIE , MAGNETORESISTENZ , SHUBNIKOV-DE-HAAS-EFFEKT , FREMDATOM , OSZILLATION , FREQUENZBEREICH , BAENDERMODELL , HALBLEITERWERKSTOFF , ZWEIDIMENSIONALES ELEKTRONENGAS , ANREICHERUNGSSCHICHT
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Datenquelle: