12 GHz high power GaAs/Si MESFETs (Englisch)
- Neue Suche nach: Charasse, M.N.
- Neue Suche nach: Bartenlian, B.
- Neue Suche nach: Gerard, B.
- Neue Suche nach: Hirtz, J.P.
- Neue Suche nach: Derevonko, M.
- Neue Suche nach: Laviron, M.
- Neue Suche nach: Parscau, A.M. de
- Neue Suche nach: Delagebeaudeuf, D.
- Neue Suche nach: Charasse, M.N.
- Neue Suche nach: Bartenlian, B.
- Neue Suche nach: Gerard, B.
- Neue Suche nach: Hirtz, J.P.
- Neue Suche nach: Derevonko, M.
- Neue Suche nach: Laviron, M.
- Neue Suche nach: Parscau, A.M. de
- Neue Suche nach: Delagebeaudeuf, D.
In:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2
;
28
, 11
;
L1896-L1898
;
1989
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:12 GHz high power GaAs/Si MESFETs
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Weitere Titelangaben:Hochleistungs-GaAs/Si-MESFETs für 12 GHz
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Beteiligte:Charasse, M.N. ( Autor:in ) / Bartenlian, B. ( Autor:in ) / Gerard, B. ( Autor:in ) / Hirtz, J.P. ( Autor:in ) / Derevonko, M. ( Autor:in ) / Laviron, M. ( Autor:in ) / Parscau, A.M. de ( Autor:in ) / Delagebeaudeuf, D. ( Autor:in )
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Erschienen in:Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 ; 28, 11 ; L1896-L1898
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1989
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:ELEMENTHALBLEITER , HALBLEITERWERKSTOFF , GALLIUMARSENID , DREI-FUENF-VERBINDUNG , MES-FET , SILICIUM , MIKROWELLENTRANSISTOR , LEISTUNGSTRANSISTOR , MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE , GATE (FET) , WIRKUNGSGRAD , DRAIN (FET) , DIFFUSIONSTECHNIK , HALBLEITERSUBSTRAT , KEIMBILDUNG , AUSGANGSLEISTUNG , HALBLEITERWACHSTUM , HOCHLEISTUNG , TEMPERN
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Datenquelle: