Doping level anomalies in p-InP resulting from exposure to dopant precursors during cool-down in MOVPE (Englisch)
- Neue Suche nach: Cole, S.
- Neue Suche nach: Duncan, W.J.
- Neue Suche nach: Marsh, E.M.
- Neue Suche nach: Skevington, P.J.
- Neue Suche nach: Spiller, G.D.T.
- Neue Suche nach: Cole, S.
- Neue Suche nach: Duncan, W.J.
- Neue Suche nach: Marsh, E.M.
- Neue Suche nach: Skevington, P.J.
- Neue Suche nach: Spiller, G.D.T.
In:
Electronics Letters
;
26
, 6
;
391-392
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1990
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Doping level anomalies in p-InP resulting from exposure to dopant precursors during cool-down in MOVPE
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Weitere Titelangaben:Anomalien des Dotierungspegels in p-InP, die während der Abkühlung in der MOVPE in einer Umgebung, die Dimethylzink enthält, entstehen
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Beteiligte:Cole, S. ( Autor:in ) / Duncan, W.J. ( Autor:in ) / Marsh, E.M. ( Autor:in ) / Skevington, P.J. ( Autor:in ) / Spiller, G.D.T. ( Autor:in )
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Erschienen in:Electronics Letters ; 26, 6 ; 391-392
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1990
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Format / Umfang:2 Seiten, 7 Quellen
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:METALLORGANISCHE GASPHASENABSCHEIDUNG , DONATOR (FREMDATOM) , ZWISCHENGITTERATOM , SEKUNDAERIONENMASSENSPEKTROMETRIE , HALBLEITERSCHICHT , ZINK , WASSERSTOFF , METALLORGANISCHE VERBINDUNG , PASSIVIERUNG , P-HALBLEITER , KUEHLUNG , DOTIERUNGSPROFIL , DREI-FUENF-VERBINDUNG , GASPHASENEPITAXIE , INDIUMVERBINDUNG , SEKUNDAERIONENMASSENSPEKTRUM , HALBLEITEREPITAXIALSCHICHT , HALBLEITERWACHSTUM , METALLORGANISCHE GASPHASENEPITAXIE
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Datenquelle: