Defect formation in epitaxial crystal growth (Englisch)
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Defect formation in epitaxial crystal growth
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Weitere Titelangaben:Defektformationen beim Epitaxial-Kristallwachstum
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Beteiligte:
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Erschienen in:Journal of Electronic Materials ; 20, 2 ; 155-161
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1991
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Format / Umfang:7 Seiten, 31 Quellen
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE , EPITAXIALWACHSTUM , KRISTALLWACHSTUM , EPITAXIALSCHICHT , KRISTALLVERSETZUNG , HETEROEPITAXIE , WERKSTOFFPRUEFUNG , ELEKTRONENMIKROSKOPIE , DOMAENENWAND , STAPELFEHLER , KRISTALLZWILLING , KEIMBILDUNG , FEHLANPASSUNG , VERSETZUNGSKEIMBILDUNG , HALBLEITEREPITAXIALSCHICHT , HALBLEITERWACHSTUM , VERSETZUNG , HALBLEITERWERKSTOFF , STOERSTELLENDICHTE
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 20, Ausgabe 2
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Defects and Defect Reduction Processing in Semiconductor Heterostructures Symposium and Novel Processing Methods and Properties of Diamond and Diamondlike Thin Films Symposium, 18-20 Feb. 1990, Anaheim, CA, USA| 1991
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Foreword| 1991
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Investigation of the role of charged species in hot filament assisted CVD of diamondDoty, F. P. / Jesser, W. A. et al. | 1991
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Direct, mass-analyzed ion-beam and arc-discharge deposition of diamondlike filmsHirvonen, J-P. / Koskinen, J. / Lappalainen, R. / Anttila, A. / Trkula, M. et al. | 1991
- 133
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Non-equilibrium thermodynamics and the vapor phase preparation of diamond for electronic applicationsYarbrough, Walter A. et al. | 1991
- 141
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Growth of diamond films on si(100) with and without boron nitride buffer layerKanetkar, S. M. / Matera, G. / Chen, Xuekang / Pramanick, S. / Tiwari, P. / Narayan, J. / Pfeiffer, G. / Paesler, M. et al. | 1991
- 151
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Materials study of silicon-on-lnsulator material by TEMKvam, E. P. / Washburn, J. / Allen, L. P. / Zavracky, P. M. et al. | 1991
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Materials study of silicon-on-insulator material by TEMKvam, E.P. / Washburn, J. / Allen, L.P. / Zavracky, P.M. et al. | 1991
- 155
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Defect formation in epitaxial crystal growthWashburn, Jack / Kvam, Eric P. / Liliental-Weber, Zuzanna et al. | 1991
- 163
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Defects and defect reduction processing in semiconductor heterostructuresSharan, S. / Narayan, J. et al. | 1991
- 169
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Spatially resolved photoluminescence using spectral correlationBeck, W. A. / Gill, D. / Martel, D. C. / Svensson, S. P. et al. | 1991
- 175
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Phase relations in the system ln-CulnS2Fearheiley, M. L. / Dietz, N. / Birkholz, M. / Höpfner, C. et al. | 1991
- 179
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Structural characterizations of initial nucleation of gaas on si films grown by modulated molecular beam epitaxyLee, Henry P. / Liu, Xiaoming / Malloy, Kevin / Wang, Shyh / George, Thomas / Weber, Eicke R. / Liliental-Weber, Zuzanna et al. | 1991
- 187
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Monoethylarsine pyrolysis mechanisms—alone and with trimethylgalliumLi, S. H. / Larsen, C. A. / Stringfellow, G. B. et al. | 1991
- 197
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Effects of growth interruption on the optical properties of AIGaAs/GaAs and GaAs/InGaAs quantum wells grown by atmospheric pressure organometallic chemical vapor depositionBertolet, Daniel C. / Hsu, Jung-Kuei / Lau, Kei May / Koteles, Emil S. et al. | 1991
- 203
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Deep levels in Si-implanted and rapid thermal annealed semi-insulating gaAsLee, Ho Sub / Cho, Hoon Young / Kim, Eun Kyu / Min, Suk-K0 / Kang, Tae Won / Hong, Chi Yhou et al. | 1991
- 207
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Deep levels in bulk LEC single crystal IxGa1-xAsBao, X. J. / Schlesinger, T. E. / Bonner, W. A. / Nahory, R. E. / Gilchrist, H. L. / Berry, E. / Beam, E. A. / Mahajan, S. et al. | 1991
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Arsenic-implanted thin film PECVD semi-insulating polysilicon (SIPOS) resistorsOng, P. H. / Ang, S. S. / Brown, W. D. / Naseem, H. A. / Ulrich, R. K. / Dressendorfer, P. V. et al. | 1991