ZnSe-based MOVPE and MBE grown LEDs (Englisch)
- Neue Suche nach: Stanzl, H.
- Neue Suche nach: Reisinger, T.
- Neue Suche nach: Wolf, K.
- Neue Suche nach: Kastner, M.
- Neue Suche nach: Hahn, B.
- Neue Suche nach: Gebhardt, W.
- Neue Suche nach: Stanzl, H.
- Neue Suche nach: Reisinger, T.
- Neue Suche nach: Wolf, K.
- Neue Suche nach: Kastner, M.
- Neue Suche nach: Hahn, B.
- Neue Suche nach: Gebhardt, W.
In:
International Workshop on ZnSe-Based Blue-Green Laser Structures, 1994
;
303-307
;
1995
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:ZnSe-based MOVPE and MBE grown LEDs
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Weitere Titelangaben:Lumineszenzdioden auf der Basis von Zinkselenid, die mittels MOVPE und MBE hergestellt wurden
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Beteiligte:Stanzl, H. ( Autor:in ) / Reisinger, T. ( Autor:in ) / Wolf, K. ( Autor:in ) / Kastner, M. ( Autor:in ) / Hahn, B. ( Autor:in ) / Gebhardt, W. ( Autor:in )
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Erschienen in:Physica Status Solidi (B) - Basic Research ; 187, 2 ; 303-307
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1995
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Format / Umfang:5 Seiten, 6 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Elektrolumineszenz , Zwei-Sechs-Verbindung , Lumineszenzdiode , Molekularstrahlepitaxie , Photolumineszenz , Röntgenstrahlbeugung , Heterostruktur , optische Eigenschaft , Strom-Spannungs-Kennlinie , Zinkselenid , Galliumarsenid , Halbleitersubstrat , p-Leitung , Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie , Quantentopf , Mikrostruktur , metallorganische Gasphasenepitaxie , Quantenausbeute , Halbleiterwachstum , Zinkverbindung , strukturelle Eigenschaft
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Datenquelle: