<0001>-oriented growth of AlN films on Si(111) by microwave plasma CVD with AlBr3-NH3-N2 system (Englisch)
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In:
Journal of Crystal Growth
;
163
, 3
;
232-237
;
1996
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:<0001>-oriented growth of AlN films on Si(111) by microwave plasma CVD with AlBr3-NH3-N2 system
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Weitere Titelangaben:Herstellung dünner AlN-Schichten auf Silizium-Substraten mittels Mikrowellenplasmagasphasenabscheidung mit einem AlBr3-NH3-N2-System
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Beteiligte:Meng, Guangyao ( Autor:in ) / Liu Xi ( Autor:in ) / Xie Song ( Autor:in ) / Peng, Dingkun ( Autor:in )
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Erschienen in:Journal of Crystal Growth ; 163, 3 ; 232-237
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1996
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Format / Umfang:6 Seiten, 10 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Aluminiumnitrid , Schutzschicht , Rasterelektronenmikroskop , Schichtwachstum , dünne Schicht , Oberflächenstruktur , Oberflächenbehandlung , Röntgenstrahlbeugung , Wachstumsrate , Morphologie , Gasphasenabscheidung , Plasmaabscheidung , dielektrische Schicht , amorpher Halbleiter , amorphes Silicium , Prozessmodell , CVD-Beschichtung , Plasma-CVD , Mikrowellenplasma-CVD , AlN (Aluminiumnitrid)
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 163, Ausgabe 3
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On the formation of antiphase domains in the system of GaAs on GeLi, Y. et al. | 1996
- 203
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A closer study on the self-annihilation of antiphase boundaries in GaAs epilayersLi, Y. et al. | 1996
- 212
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High purity GaAs and AlGaAs grown using tertiarybutylarsine, trimethylaluminum, and trimethylgalliumBiefeld, R. M. / Chui, H. C. / Hammons, B. E. / Breiland, W. G. / Brennan, T. M. / Jones, E. D. / Kim, M. H. / Grodzinski, P. / Chang, K. H. / Lee, H. C. et al. | 1996
- 212
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High purity GaAs and AlGaAs gro vn using tertiarybutylarsine, trimethylalumium, and trimethylgalliumBiefeld, R.M. et al. | 1996
- 220
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Rapid diffusion of Ga into InSb and precipitation of InHayakawa, Y. et al. | 1996
- 226
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Self-organized growth of GaAs-InAs heterostructure nanocylinders by organometallic vapor phase epitaxyHiruma, K. et al. | 1996
- 232
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<0001>-oriented growth of AlN films on Si(111) by microwave plasma CVD with AlBr3-NH3-N2 systemMeng, Guangyao et al. | 1996
- 238
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Oxygen transfer during single silicon crystal growth in Czochralski system with vertical magnetic fieldsKakimoto, K. et al. | 1996
- 243
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SixGe1-x single crystals grown by the RF-heated float zone techniqueWollweber, J. et al. | 1996
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Numerical prediction of operational parameters in Czochralski growth of large-scale SiChung, Hyung-Tae et al. | 1996
- 259
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Growth of molybdenum-based alloy single crystals using electron beam zone meltingLiu, J. et al. | 1996
- 266
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The formation mechanisms of dislocations and negative crystals in LiB3O5 single crystalsHu, X.B. et al. | 1996
- 266
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The formation mechanisms of dislocations and negative crystals in LiB~30~5 single crystalsHu, X. B. / Jiang, S. S. / Huang, X. R. / Zeng, W. / Liu, W. J. / Chen, C. T. / Zhao, Q. L. / Jiang, J. H. / Wang, Z. G. / Tian, Y. L. et al. | 1996
- 272
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The growth and optical assessment of Cr^3^+-doped RX(BO~3)~4 crystals with R = Y, Gd; X = Al, ScWang, G. / Gallagher, H. G. / Han, T. P. J. / Henderson, B. et al. | 1996
- 272
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The growth and optical assessment of Cr3+-doped RX(BO3)4 crystals with RWang, G. et al. | 1996
- 279
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Floating zone growth and characterization of aluminum-doped rutile single crystalsHatta, K. et al. | 1996
- 285
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Hydrothermal single crystal growth of calcite in ammonium acetate solutionYanagisawa, K. et al. | 1996
- 295
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Kinetics of growth and dissolution of fluorapatiteChristoffersen, J. et al. | 1996
- 295
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Kinetics of growth and dissolution of fiuorapatiteChristoffersen, J. / Christoffersen, M. R. / Johansen, T. et al. | 1996
- 304
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Some new aspects of surface nucleation applied to the growth and dissolution of fluorapatite and hydroxyapatiteChristoffersen, J. et al. | 1996
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Hydrothermal growth of carbonate-containing hydroxyapatite single crystalsIto, A. et al. | 1996
- 318
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Nucleation and growth kinetics of barium sulphate in batch precipitationTaguchi, K. et al. | 1996
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The case for a dynamic contact angle in containerless solidificationAnderson, D.M. et al. | 1996
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Replication of steps from substrate surface to superlattice interfacesLi, Ming et al. | 1996