Ultralow threshold 850-nm oxide-apertured vertical cavity lasers using AlInGaAs/AlGaAs strained active layers (Englisch)
- Neue Suche nach: Ko, J.
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In:
Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, 2
;
18-29
;
1998
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Ultralow threshold 850-nm oxide-apertured vertical cavity lasers using AlInGaAs/AlGaAs strained active layers
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Beteiligte:Ko, J. ( Autor:in ) / Hegblom, E.R. ( Autor:in ) / Akulova, Y. ( Autor:in ) / Margalit, N.M. ( Autor:in ) / Coldren, L.A. ( Autor:in )
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Erschienen in:
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1998
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Format / Umfang:12 Seiten, 20 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Aluminiumverbindung , Galliumarsenid , Drei-Fünf-Verbindung , Indiumverbindung , Laserstrahl , Laserresonator , Molekularstrahlepitaxie , Lichtsender , Schwellenstrom , Zuverlässigkeit , Ausgangsleistung , Submikrometerbereich , optische Fertigung , optischer Verlust , Quantentopflaser , VCSEL-Laser , 300-Kelvin-Bereich
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Datenquelle: