Mechanism of atomic layer epitaxy of AlAs (Englisch)
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In:
Journal of Crystal Growth
;
194
, 1
;
16-24
;
1998
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Mechanism of atomic layer epitaxy of AlAs
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Beteiligte:Hirose, S. ( Autor:in ) / Yamaura, M. ( Autor:in ) / Yoshida, A. ( Autor:in ) / Ibuka, H. ( Autor:in ) / Hara, K. ( Autor:in ) / Munekata, H. ( Autor:in )
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Erschienen in:Journal of Crystal Growth ; 194, 1 ; 16-24
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1998
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Format / Umfang:9 Seiten, 19 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Adsorption , Aluminiumverbindung , Drei-Fünf-Verbindung , Rasterelektronenmikroskopie , Stöchiometrie , Röntgenbeugung , chemische Zusammensetzung , Rasterelektronenmikroskop , Sekundärionenmassenspektrometrie , Aluminiumarsenid , Galliumarsenid , Sekundärionenmassenspektrum , Halbleiterepitaxialschicht , Halbleiterwachstum , Halbleiterdünnschicht
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 194, Ausgabe 1
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