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Silicon Nanowire Transistors with a Channel Width of 4 nm Fabricated by Atomic Force Microscope Nanolithography
American Chemical Society | 2008| -
Risk-averse approach for topology optimization of fail-safe structures using the level-set method
Springer Verlag | 2021| -
Risk-averse approach for topology optimization of fail-safe structures using the level-set method
Online Contents | 2021| -
Topology optimisation of stiffeners layout for shape-morphing of dielectric elastomers
Online Contents | 2021|
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