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Self‐compensation of donors in high‐purity GaAs
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1975| -
Species dependence of passivation and reactivation of acceptors in hydrogenated GaAs
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1990| -
ANOMALOUSLY HIGH ``MOBILITY'' IN SEMICONDUCTORS
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1971| -
Surface Fermi‐level changes in n‐type GaAs determined from Hall‐effect measurements
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1990| -
Simulation of high‐field transport in GaAs using a Monte Carlo method and pseudopotential band structures
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1981| -
Surface‐interface states and a model for surface effects in semi‐insulating bulk GaAs
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1992| -
Hall‐effect measurement and a defect model analysis of surface‐potential changes in GaAs
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991| -
Monolithic integrated InxGa1−xAs Schottky‐barrier waveguide photodetector
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1974| -
Electron and hole impact ionization coefficients in InP determined by photomultiplication measurements
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1982| -
Internal photoemission and band discontinuities at Ga0.47In0.53As‐InP heterojunctions
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1989| -
Reversible light‐induced reactivation of acceptors in p‐type hydrogenated GaAs
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1989| -
Deep‐level electron traps in vapor phase epitaxial GaAs grown with oxygen injection
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1985| -
Growth of carbon‐doped p‐type InxGa1−xAs (0<x≤0.53) by metalorganic chemical vapor deposition
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1992| -
Impact ionization of excitons and shallow donors in InP
NationallizenzAmerican Physical Society | 1983| -
Carbon‐doped base GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistor grown by metalorganic chemical vapor deposition using carbon tetrachloride as a dopant source
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1990|
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