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Benchmarking stencil reticles for electron projection lithography
American Institute of Physics | 2003| -
Beryllium diffusion in GaAs/AlGaAs single quantum well separate confinement heterostructure laser active regions
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1995| -
Boron carbides as high temperature thermoelectric materials
American Institute of Physics | 1986|Beteiligte: Beckel, C. L., Wood, C. -
Boron since Asbury Park: The first International boron Conference September 18‐19, 1959
American Institute of Physics | 1986|Beteiligte: Beckel, C. L., Wood, C. -
Capped versus capless heat treatment of molecular beam epitaxial GaAs
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1982| -
Carrier compensation at interfaces formed by molecular beam epitaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1982| -
Cathode materials review
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2014|Beteiligte: Meyer, Dirk C. -
Centralized design and production of the ultra-high vacuum and laser-stabilization systems for the AION ultra-cold strontium laboratories
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Characteristics of effused slab waveguides in LiNbO3
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1974| -
Characterization of molecular beam epitaxially grown HgCdTe on CdTe and InSb buffer layers
American Institute of Physics | 1986| -
Characterization of the focused output from a selenium soft x‐ray laser
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1989| -
Characterizing Via Bottom Integrity in Cu/Low‐κ Processes
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2005|Beteiligte: Diebold, Alain C. -
Chemical vapor deposition of boron‐based refractory solids
American Institute of Physics | 1986|Beteiligte: Beckel, C. L., Wood, C. -
Coincidence measurements of pion single charge exchange in the Δ‐resonance region
American Institute of Physics | 1988| -
Comment on ‘‘Thermoelectric figure of merit of boron phosphide’’ [Appl. Phys. Lett. 46, 842 (1985)]
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 1985| -
Comments concerning the crystal structure of B4C
American Institute of Physics | 1986|Beteiligte: Beckel, C. L., Wood, C. -
Commissioning the Front End Test Stand High Performance Ion Source at RAL
American Institute of Physics | 2009| -
Complex free‐carrier profile synthesis by ’’atomic‐plane’’ doping of MBE GaAs
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1980|
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