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Study of Ge movement during thermal reactions between Pt and GeSi/Si heterostructures
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Forward tunneling current in GaN-based blue light-emitting diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
On the reverse gate leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
High-quality ZnO growth, doping, and polarization effectProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos. 61025020, 61274058, 61322403, 61504057, 61574075), the Natural Science Foundation of Jiangsu Province (Nos. BK2011437, BK20130013, BK20150585), the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions, and the Fundamental Research Funds for the Central Universities.
Invited ReviewIOP Institute of Physics | 2016| -
Reverse leakage mechanism of Schottky barrier diode fabricated on homoepitaxial GaN
Tema Archiv | 2013| -
Influence of unintentional doped carbon on growth and properties of N-doped ZnO films
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2008| -
Field plate engineering for GaN-based Schottky barrier diodes
NationallizenzSEMICONDUCTOR DEVICESIOP Institute of Physics | 2013| -
Electrically pumped random lasing based on an Au–ZnO nanowire Schottky junction
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 2015| -
Temperature dependence of polarized electroluminescence side emission from (0001)-oriented blue and violet InGaN/GaN light-emitting diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2008|
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