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Dose-rate dependence of radiation-induced interface trap density in silicon bipolar transistors
Online Contents | 2006| -
Dose-rate dependence of radiation-induced interface trap density in silicon bipolar transistors
Online Contents | 2006| -
BASIC MECHANISMS - Mechanisms for Radiation Dose-Rate Sensitivity of Bipolar Transistors
Online Contents | 2003| -
The tunneling solutions of the time-dependent Schrodinger equation for a square-potential barrier (31 pages)
British Library Online Contents | 2009| -
Temperature-dependent radiative recombination of free excitons in high-quality GaAs heterostructures
Online Contents | 1994| -
Ion-bombardment-induced changes in the electronic structure of silicon surfaces
Tema Archiv | 1982| -
MODELING THE INFLUENCE OF DEFECTS ON THE ELECTRICAL RESPONSE OF MULTI-DIELECTRIC GATE STACK STRUCTURES
British Library Conference Proceedings | 2009| -
Modeling the Influence of Defects on the Electrical Response of Multi-Dielectric Gate-Stack Structures
British Library Conference Proceedings | 2009| -
Calculations of Radiation Dose-Rate Sensitivity of Bipolar Transistors
British Library Online Contents | 2008| -
Electronic energy levels of point defects at the GaSb (110) surface
NationallizenzElsevier | 1981|
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