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Impurity levels in the layered semiconductor p-GaSe doped with group V elements As, Bi and Sb
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COMMUNICATIONS - Optical and elechical characteristics of p-GaSe doped with Te
Online Contents | 2004| -
Optical and electrical characteristics of p-GaSe doped with Te
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Temperature Dependence of Photoluminescence in Layered Semiconductor n-GaS Doped with Sn (3 pages)
British Library Online Contents | 2010|
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