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Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Aluminum gallium nitride -
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Aluminum gallium nitride -
A Comprehensive Study of Reverse Current Degradation Mechanisms in Au/Ni/n-GaN Schottky Diodes
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gallium nitride -
P‐76: Effect of a‐IGZO Thickness Variation on Device Uniformity and Drain Currents for Dual and Single Gate Driving TFTs
Wiley | 2017|Schlagwörter: Amorphous-indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) -
Combining High Hole Concentration in p-GaN and High Mobility in u-GaN for High p-Type Conductivity in a p-GaN/u-GaN Alternating-Layer Nanostructure
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gallium nitride -
Suppression of Current Collapse in Enhancement Mode GaN-Based HEMTs Using an AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructure
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Aluminum gallium nitride -
Through Recess and Regrowth Gate Technology for Realizing Process Stability of GaN-Based Gate Injection Transistors
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Aluminum gallium nitride -
Improved Light Output Power of InGaN/GaN LED by Using Ultrasonic Spray Pyrolysis Deposited MgO
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gallium nitride -
Electrical and Interfacial Properties of GaAs MOS Capacitors With La-Doped ZrON as Interfacial Passivation Layer
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gallium arsenide -
Impact of Silicon Nitride Stoichiometry on the Effectiveness of AlGaN/GaN HEMT Field Plates
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Aluminum gallium nitride -
Surface Potential and Drain Current Analytical Model of Gate All Around Triple Metal TFET
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gallium arsenide -
Monolithic Integration of InAs Quantum-Well n-MOSFETs and Ultrathin Body Ge p-MOSFETs on a Si Substrate
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Indium gallium arsenide -
Active Region Design and Gain Characteristics of InP-Based Dilute Bismide Type-II Quantum Wells for Mid-IR Lasers
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Indium gallium arsenide -
Improvement of Subthreshold Characteristic of Gate-Recessed AlGaN/GaN Transistors by Using Dual-Gate Structure
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Aluminum gallium nitride -
Dynamic Logic Circuits Using a-IGZO TFTs
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Amorphous indium–gallium–zinc–oxide thin-film transistor (a-IGZO TFT) -
Iso-Trapping Measurement Technique for Characterization of Self-Heating in a GaN HEMT
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gallium nitride -
Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Aluminum gallium nitride -
Improved Interfacial and Electrical Properties of GaAs MOS Capacitor With LaON/TiON Multilayer Composite Gate Dielectric and LaON as Interfacial Passivation Layer
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gallium arsenide -
Reliability Analysis of LPCVD SiN Gate Dielectric for AlGaN/GaN MIS-HEMTs
Online Contents | 2017|Schlagwörter: gallium nitride (GaN) -
A New Differential Amplitude Spectrum for Analyzing the Trapping Effect in GaN HEMTs Based on the Drain Current Transient
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Aluminum gallium nitride
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