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Thickness dependent roughening of Ga(As,N)-GaAs MQW structures with high nitrogen content
Online Contents | 2003| -
Tensile strained SiGe quantum well infrared photodetectors based on a light-hole ground state
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Engineering of the Curie temperature of epitaxial Sr1−xBaxTiO3 films via strain
American Institute of Physics | 2016| -
Tensile strained SiGe quantum well infrared photodetectors based on a light-hole ground state (3 pages)
British Library Online Contents | 2011| -
Splitting of the local mode frequency of substitutional nitrogen in (Ga, In)(As, N) alloys due to symmetry lowering
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2006| -
Domain formation due to surface steps in topological insulator Bi2Te3 thin films grown on Si (111) by molecular beam epitaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2013| -
Synaptic-like conductivity and plasticity in epitaxially strained SrTiO3 films
American Institute of Physics | 2019| -
Engineering of the Curie temperature of epitaxial Sr1−xBaxTiO3 films via strain
Freier ZugriffBASE | 2016| -
Optimization of the indium and nitrogen concentration for long-wavelength emission of In~xGa~1~-~xAs~1~-~yN~y lasers
British Library Conference Proceedings | 2006| -
Investigation of the Local Ge Concentration in Si/SiGe Multi-QW Structures by CBED Analysis and FEM Calculations
British Library Conference Proceedings | 2008| -
Nitrogen-induced suppression of an indium-gallium interdiffusion in In~xGa~1~-~xAs~1~-~yN~y/GaAs multiple-quantum wells (3 pages)
British Library Online Contents | 2005| -
Thickness dependent roughening of Ga(As,N)/GaAs MQW structures with high nitrogen content
NationallizenzElsevier | 2002|
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