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Molecular beam epitaxial growth and material properties of GaAs and AlGaAs on Si (100)
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1984| -
The dependence of Al Schottky barrier height on surface conditions of GaAs and AlAs grown by molecular beam epitaxy
American Institute of Physics | 1983| -
Instabilities of (110) III–V compounds grown by molecular beam epitaxy
American Institute of Physics | 1983| -
Mobility enhancement in modulation‐doped GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1982| -
Summary Abstract: Molecular beam epitaxial growth and material properties of GaAs and AlGaAs on Si(100) and Ge(100)
American Institute of Physics | 1985| -
Valence band offset in AlAs/GaAs heterojunctions and the empirical relation for band alignment
American Institute of Physics | 1985| -
AlGaAs/GaAs(111) heterostructures grown by molecular beam epitaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1986| -
Normal incidence infrared modulator using direct–indirect transitions in GaSb quantum wells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Improvement of GaAsSb alloys on InP grown by molecular beam epitaxy with substrate tilting
American Institute of Physics | 2013| -
Effects of substrate orientation on the growth of InSb nanostructures by molecular beam epitaxy
American Institute of Physics | 2016| -
Temperature dependence of hole mobility in GaAs‐Ga1−xAlxAs heterojunctions
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1985| -
Dependence of valence‐subband structures on the substrate orientation in ZnSxSe1−x/ZnyMg1−ySzSe1−z quantum wells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Normal incidence infrared photodetectors using intersubband transitions in GaSb L‐valley quantum wells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Infrared absorption enhancement in light‐ and heavy‐hole inverted Ga1−xInxAs/Al1−yInyAs quantum wells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991| -
AlAsSb/InAsSb heterojunction diodes grown on Si by molecular‐beam epitaxy
American Institute of Physics | 1995|
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