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Ruthenium gate electrodes on SiO2 and HfO2: Sensitivity to hydrogen and oxygen ambients
Online Contents | 2006| -
Effective work function modulation by controlled dielectric monolayer deposition
Online Contents | 2006| -
LETTERS - Silicon Devices - The Impact of Postbreakdown Gate Leakage on MOSFET RF Performances
Online Contents | 2001| -
A new experimental technique to evaluate the plasma induced damage at wafer level testing
Online Contents | 1998| -
A new experimental technique to evaluate the plasma induced damage at wafer level testing
Online Contents | 1998| -
High-Field Transport Investigation for 25-nm MOSFETs With 0.64-nm EOT: Intrinsic Performance and Parasitic Effects
British Library Online Contents | 2012| -
Guest Editorial-Introduction to the Special Issue: High-k Reliability-Status 2009
British Library Online Contents | 2009| -
Origin of microwave noise from an n-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor
British Library Online Contents | 2002| -
Fermi-level pinning at polycrystalline silicon-HfO2 interface as a source of drain and gate current 1/f noise
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
The Impact of Postbreakdown Gate Leakage on MOSFET RF Performances
British Library Online Contents | 2001|
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