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Band‐gap tailoring in amorphous germanium‐nitrogen compounds
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1985| -
Optical constants and thickness determination of very thin amorphous semiconductor films
Online Contents | 2002| -
Aluminum-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films
Online Contents | 2001| -
Microscopic mechanisms behind the Al-induced crystallization of a-Ge:H films
Online Contents | 2002| -
Low-temperature Al-induced crystallization of amorphous Ge
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2005| -
Local coordination and electronic doping of column III metals in hydrogenated amorphous germanium
Online Contents | 2000| -
Ammonia as an active doping source gas of hydrogenated amorphous germanium films
Online Contents | 1996| -
Column III and V elements as substitutional dopants in hydrogenated amorphous germanium
Online Contents | 1998| -
Retrieval of optical constants and thickness of thin films from transmission spectra
Online Contents | 1997| -
Optical constants of thin films by means of a pointwise constrained optimization approach
Online Contents | 1998|
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