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Growth and properties of SiGe structures obtained by selective epitaxy on finite areas
Online Contents | 2007| -
Self-assembling of Ge on finite Si(001) areas comparable with the island size
Online Contents | 2003| -
Ge nanostructures grown by self-assembly; influence of substrate orientation
Online Contents | 2002| -
Lateral ordering of Ge islands on Si mesas made by selective epitaxial growth
Online Contents | 2002| -
Luminescence of laterally ordered Ge islands along 〈100〉 directions
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2002| -
Luminescence properties of self-assembled group IV dots
British Library Conference Proceedings | 2001| -
SiGe nanostructures by selective epitaxy and self-assembling
British Library Conference Proceedings | 2001| -
Line shape analysis of electron–hole plasma electroluminescence in fully strained SiGe epitaxial layers
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2003| -
SiGe nanostructures by selective epitaxy and self-assembling
British Library Online Contents | 2001|
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