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Kinetic analysis of non-isothermal volume melting processes by differential scanning calorimetry
Freier ZugriffSpringer Verlag | 2023| -
Kinetic analysis of non-isothermal volume melting processes by differential scanning calorimetry
Freier ZugriffOnline Contents | 2023| -
Use of Photoinduced Microwave Reflection for the Non-Destructive Characterization of Solar Cell Materials and Device Structures
British Library Online Contents | 1995| -
Influence of Co addition on the magnetocaloric effect of FeCoSiAlGaPCB amorphous alloys
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Determination of diffusion length of electron beam induced minority carriers in polycrystalline GaAs
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1983| -
Measurement of the sheet resistance of doped layers in semiconductors by microwave reflection
American Institute of Physics | 1994| -
Minority‐carrier emission effect in deep level transient spectroscopy measurements on Schottky diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1988| -
Changes in Au‐GaAs Schottky barrier diodes with low neutron fluence
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1976| -
Glass-forming ability and soft magnetic properties of FeCoSiAlGaPCB amorphous alloys
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2002| -
Collection of electron‐beam‐generated carriers in the presence of a grain boundary or an epitaxial interface
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1987| -
Effect of Nb substitution on the nanocrystallization of FeSiBCuNb alloys
British Library Online Contents | 1997| -
Nanocrystallization behaviour of FeSiBCu(NbX) alloys
British Library Conference Proceedings | 1997| -
The Influence of Niobium Substitution by Refractory Metals in Nanocrystallization of FINEMET Alloys
British Library Conference Proceedings | 1995| -
Measurement of the sheet resistance of doped layers in semiconductors by microwave reflection
British Library Online Contents | 1994| -
The growth of tin oxide films at room temperature
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1979| -
Richardson constant of Al‐ and Au‐GaAs Schottky barrier diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1977|
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