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Epitaxial Growth of Cubic and Hexagonal InN Thin Films via Plasma-Assisted Atomic Layer Epitaxy
American Chemical Society | 2013| -
(Invited) Homoepitaxial GaN Growth on Free-Standing Substrates
British Library Conference Proceedings | 2018| -
Emission enhancement from nonpolar -plane III-nitride nanopillar
American Institute of Physics | 2011| -
(Invited) From MRTA to SMRTA: Improvements in Activating Implanted Dopants in GaN
British Library Conference Proceedings | 2015| -
Selective chemical etch of gallium nitride by phosphoric acid
American Institute of Physics | 2012| -
(Invited) Vertical GaN Pin Diodes Formed By Mg Ion Implantation
British Library Conference Proceedings | 2015| -
State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 66 (SOTAPOCS 66) & Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 13
TIBKAT | 2023|Beteiligte: Hite, Jennifer K. -
Photopolymerization of Self-Assembled Monolayers of Diacetylenic Alkylphosphonic Acids on Group-III Nitride Substrates
American Chemical Society | 2010| -
Elevated temperature performance of Si-implanted solar-blind β-Ga2O3 photodetectors
American Institute of Physics | 2016| -
State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 64 (SOTAPOCS-64)
TIBKAT | 2021|Beteiligte: Hite, Jennifer K. -
Large-area transparent conductive few-layer graphene electrode in GaN-based ultra-violet light-emitting diodes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Electrochemically Prepared Polycrystalline Copper Surface for the Growth of Hexagonal Boron Nitride
American Chemical Society | 2017| -
Impact of surface treatments on high-κ dielectric integration with Ga-polar and N-polar GaN
American Institute of Physics | 2014|
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