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Method of forming conformal epitaxial semiconductor cladding material over a fin field effect transistor (FINFET) device
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
핀 전계 효과 트랜지스터(FINFET) 디바이스 위에 등각성의 에피택셜 반도체 클래딩 재료를 형성하는 방법
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019| -
METHOD OF FORMING CONFORMAL EPITAXIAL SEMICONDUCTOR CLADDING MATERIAL OVER A FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2018| -
METHOD OF FORMING CONFORMAL EPITAXIAL SEMICONDUCTOR CLADDING MATERIAL OVER A FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2018| -
METHODS AND APPARATUS FOR SILICON-GERMANIUM PRE-CLEAN
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
The Surface Scattering-Based Detection of Hydrogen in Air Using a Platinum Nanowire
American Chemical Society | 2012| -
METHODS AND APPARATUS FOR SILICON-GERMANIUM PRE-CLEAN
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
Smaller is Faster and More Sensitive: The Effect of Wire Size on the Detection of Hydrogen by Single Palladium Nanowires
American Chemical Society | 2010| -
Oxygen and ozone oxidation-enhanced field emission of carbon nanotubes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2002| -
Enhanced Thermoelectric Metrics in Ultra-long Electrodeposited PEDOT Nanowires
American Chemical Society | 2011|
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