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Deep level defects in Ge-doped (010) β-Ga2O3 layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
American Institute of Physics | 2018| -
SELECTIVE-AREA MESOPOROUS SEMICONDUCTORS AND DEVICES FOR OPTOELECTRONIC AND PHOTONIC APPLICATIONS
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
On the solubility of gallium nitride in supercritical ammonia–sodium solutions
British Library Online Contents | 2016| -
A 3D simulation comparison of carrier transport in green and blue c-plane multi-quantum well nitride light emitting diodes
American Institute of Physics | 2020| -
Molecular beam epitaxy for high-performance Ga-face GaN electron devices
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2013| -
Polarity inversion of N-face GaN using an aluminum oxide interlayer
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
m-plane () and () GaN/AlxGa1–xN conduction band offsets measured by capacitance-voltage profiling
American Institute of Physics | 2014| -
High efficiency of III-nitride and AlGaInP micro-light-emitting diodes using atomic layer deposition
British Library Conference Proceedings | 2021|
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