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Potentialities of disilane for the low temperature epitaxy of intrinsic and boron-doped SiGe
Online Contents | 2014| -
Mushroom-free selective epitaxial growth of Si, SiGe and SiGe:B raised sources and drains
Online Contents | 2013| -
Structural, electrical and optical properties of in-situ phosphorous-doped Ge layers
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Low temperature boron and phosphorous doped SiGe for recessed and raised sources and drains
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Effect of reactor pressure on catalyst composition and growth of GaSb nanowires
Online Contents | 2010| -
GeSn growth kinetics in reduced pressure chemical vapor deposition from Ge2H6 and SnCl4
British Library Online Contents | 2018| -
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British Library Online Contents | 2018|
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