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Continuous 300K laser operation of single-quantum-well AlxGa1 - xAs-GaAs heterostructure diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
A densely packed monolithic linear array of GaAs-AlxGa1 - xAs strip buried heterostructure laser
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Optical modulation by optical tuning of a cavity
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Phase-locked (GaAl)As laser diode emitting 2.6 W CW from a single mirror
Tema Archiv | 1983|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Low-threshold 1.25-mum vapor-grown InGaAsP CW lasers
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Self-Q-switched picosecond optical pulse generation with tandem-type AlGaAs TJS laser
Tema Archiv | 1981|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Catastrophic degradation of GaAlAs DH laser diodes
Tema Archiv | 1978|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals
Tema Archiv | 1977|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Chromium profiles in semi-insulating GaAs after annealing with a Si3N4 encapsulant
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
The effects of processing stresses on residual degradation in long-lived Ga1 - xAlxAs lasers
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Improved light-output linearity in stripe-geometry double heterostructure (Al,Ga)As lasers
Tema Archiv | 1976|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Integrated multijunction GaAs photodetector with high output voltage
Tema Archiv | 1978|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Dual-wavelength demultiplexing InGaAsP photodiode
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
GaxIn1 - xAsyP1 - y/InP DH laser emitting at 1.15 mum grown by low-pressure metalorganic CVD
Tema Archiv | 1980|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Low-current-threshold strip-buried-heterostructure lasers with self-aligned current injection stripes
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Mobility of holes in the quaternary alloy In1 - xGaxAsyP1 - y
Tema Archiv | 1980|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
Low-current-threshold and high-lasing uniformity GaAs-AlxGa1 - xAs double-heterostructure lasers grown by molecular beam epitaxy
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG -
High-efficiency AlGaAs/GaAs concentrator solar cells
Tema Archiv | 1979|Schlagwörter: DREI-FUENF-VERBINDUNG
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