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Electrical characteristics of Zn in heavily doped InP grown by the liquid-encapsulated Czochralski technique
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Phosphorous diffusion into silicon from a spin-on source using rapid thermal processing
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
On the nature of large-scale electrically active defect accumulations in InP and GaAs
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Hot electron scattering with cold plasma in GaAs from CW hot electron luminescence spectroscopy
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Deactivation of electrically avtive arsenic in silicon during cooling-down from elevated temperatures
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Auger generation suppression in narrow-gap semiconductors using the magnetoconcentration effect
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Effect of hydrogenation of deep-level traps in InP on GaAs
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Electron gas cooling studied by measurements of noise temperature
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Confined phonon modes and hot electron energy relaxation in semiconductor microstructures
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Change in electrical properties of Co-doped and Cr-doped FeSi2 thin films during amorphous-to-crystalline transformation
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Electrically active defects in n-type silicon induced by rapid thermal annealing
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Implanted Si atoms shifting between Ga sites and As sites by thermal stress in conductive-layer GaAs crystals on semi-insulating substrates
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Investigation of hot carrier relaxation in quantum well and bulk GaAs at high carrier densities
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Hot electron transport in GaAs quantum wells: effect of non-drifting hot phonons and interface roughness
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Uniformity of improved high-quality GaAs and AlGaAs epilayers and Schottky barriers prepared by molecular beam epitaxy
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
On the calculation of electron mobility in In(0.53)Ga(0.47)As
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
The effect of carrier densities and compensation ratios on the electron mobility of InAs(x)P(1-x)
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
A computation program for the calculation of optical constants of solids from reflectance data analysis
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE -
Raman scattering by plasmon-phonon modes in highly doped n-InAs grown by molecular beam epitaxy
Tema Archiv | 1992|Schlagwörter: LADUNGSTRAEGERDICHTE
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