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2.6 Experimental characterization of source-to-drain tunneling in 10nm SOI devices
British Library Conference Proceedings | 2005| -
28nm Fully-Depleted SOI Technology: Cryogenic Control Electronics for Quantum Computing
Freier ZugriffArXiv | 2019| -
99.992 % $^{28}$Si CVD-grown epilayer on 300 mm substrates for large scale integration of silicon spin qubits
Freier ZugriffArXiv | 2018| -
99.992% 28Si CVD-grown epilayer on 300 mm substrates for large scale integration of silicon spin qubits
British Library Online Contents | 2019| -
About the ferroelastic phase transition in phenothiazine
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 1992| -
A constrained refinement of the structure of durene including `wagging' vibrations of the methyl groups
NationallizenzIUCr | 1974| -
Acoustic anomalies at the improper ferroelastic phase transition of p-terphenyl
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 1984| -
A Fermi-edge singularity probed by resonant tunnelling spectroscopy
British Library Conference Proceedings | 1994|Beteiligte: Sanquer, M. -
All-Electrical Control of a Hybrid Electron Spin/Valley Quantum Bit in SOI CMOS Technology
Freier ZugriffArXiv | 2019| -
Andreev Reflection Enhanced Shot Noise in Mesoscopic SNS Junctions
British Library Online Contents | 1999| -
Andreev Reflection Enhanced Shot Noise in Mesoscopic SNS Junctions
NationallizenzAmerican Physical Society | 1999| -
Anti-correlated oscillations in a three-lead quantum dot
British Library Conference Proceedings | 1994|Beteiligte: Sanquer, M. -
Application of negative differential conductance in Al/AlO~x single-electron transistors for background charge characterization (3 pages)
British Library Online Contents | 2010|
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