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Synonyme wurden verwendet für: Galliumnitrid
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Verwendete Synonyme:
- cas 25617 97 4
- gallium nitride
- gan
-
$ In_{x} $ $ Ga_{1−x} $ N fibres grown on Au/$ SiO_{2} $ by chemical vapour deposition
Online Contents | 2014|Schlagwörter: indium–gallium nitride -
$ Mn_{2−x} $$ Y_{x} $($ MoO_{4} $)3 Phosphor Excited by UV GaN-Based Light-Emitting Diode for White Emission
Online Contents | 2017|Schlagwörter: UV GaN LEDs -
0.5kWatt 2.45 GHz GaN‐based microwave heating system design with active phase control
Wiley | 2023|Schlagwörter: GaN -
0.15 μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs with varying gate recess length
NationallizenzElsevier | 2002|Schlagwörter: GaN -
1.0 THz GaN IMPATT Source: Effect of Parasitic Series Resistance
Online Contents | 2018|Schlagwörter: Gallium nitride -
1.0 THz GaN IMPATT Source: Effect of Parasitic Series Resistance
Springer Verlag | 2018|Schlagwörter: Gallium nitride -
1.3 kV Reverse-Blocking AlGaN/GaN MISHEMT With Ultralow Turn-On Voltage 0.25 V
Freier ZugriffDOAJ | 2021|Schlagwörter: AlGaN/GaN -
1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer
Freier ZugriffDOAJ | 2022|Schlagwörter: Free standing gallium nitride (GaN), GaN MOSFET -
1.4-kV Quasi-Vertical GaN Schottky Barrier Diode With Reverse p-n Junction Termination
Freier ZugriffDOAJ | 2020|Schlagwörter: Vertical GaN-on-Sapphire Schottky barrier diode -
1–6 GHz ultrawideband 4 W single‐ended GaN power amplifier
Wiley | 2014|Schlagwörter: GaN, ultrawideband -
1.7 kV normally-off p-GaN gate high-electron-mobility transistors on a semi-insulating SiC substrate
Springer Verlag | 2023|Schlagwörter: p-GaN gate -
1.7-kV vertical GaN p-n diode with triple-zone graded junction termination extension formed by ion-implantation
Freier ZugriffDOAJ | 2023|Schlagwörter: Vertical GaN devices -
1.43 kV GaN-based MIS Schottky barrier diodes
IOP Institute of Physics | 2024|Schlagwörter: gallium nitride -
1D conditional generative adversarial network for spectrum-to-spectrum translation of simulated chemical reflectance signatures
Freier ZugriffDOAJ | 2021|Schlagwörter: conditional gan -
1/f Noise Characteristics of AlGaN/GaN FinFETs with and without TMAH surface treatment
Elsevier | 2015|Schlagwörter: AlGaN/GaN -
1/f noise characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with periodically carbon-doped GaN buffer layer
Elsevier | 2019|Schlagwörter: AlGaN/GaN -
1-kV AlGaN/GaN schottky barrier diode on a Si substrate by oxidizing the Schottky contact
Springer Verlag | 2012|Schlagwörter: GaN -
1 MHz Resonant DC/DC-Converter Using 600 V Gallium Nitride (GaN) Power Transistors
NationallizenzTrans Tech Publications | 2013|Schlagwörter: Gallium Nitride Gate Injection Transistor -
1-mm gate periphery AlGaN/AlN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39W at 8GHz
Elsevier | 2006|Schlagwörter: AlGaN/GaN
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