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Effect of front and back gates on β-Ga2O3 nano-belt field-effect transistors
Online Contents | 2016| -
Effect of 5 MeV proton irradiation damage on performance of β-Ga2O3 photodetectors
Online Contents | 2016| -
Elevated temperature performance of Si-implanted solar-blind β-Ga2O3 photodetectors
Online Contents | 2016| -
METHOD OF PRODUCING GLASS SUBSTRATE FOR PATTERNED SOLAR CELL AND THIN-FILM SOLAR CELL USING THE GLASS SUBSTRATE
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2016| -
Effect of wet textured glass surface morphology on the haze ratio and aspect ratio for amorphous silicon thin film solar cells
American Institute of Physics | 2014| -
High reverse breakdown voltage Schottky rectifiers without edge termination on Ga2O3
American Institute of Physics | 2017| -
Implementing a Stereo Image Processing for Medical 3D Microscopes with Wireless HMD
Springer Verlag | 2017| -
Implementing a Stereo Image Processing for Medical 3D Microscopes with Wireless HMD
British Library Conference Proceedings | 2017| -
Effects of proton irradiation and thermal annealing on off-state step-stressed AlGaN/GaN high electron mobility transistors
American Institute of Physics | 2016| -
Deuterium incorporation and diffusivity in plasma-exposed bulk Ga2O3
American Institute of Physics | 2016| -
Inductively coupled plasma etching of bulk, single-crystal Ga2O3
American Institute of Physics | 2017| -
Effect of front and back gates on β-Ga2O3 nano-belt field-effect transistors
American Institute of Physics | 2016| -
Inductively coupled plasma etch damage in (-201) Ga2O3 Schottky diodes
American Institute of Physics | 2017|
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